シリコン酸化膜は、絶縁材料として利用できるため、表面保護膜やゲート絶縁膜など様々用途に利用されております。
測定機種 | :AFW-100W |
測定波長 |
:380nm~1,000nm |
膜 |
:SiO2 |
基板 |
:Si |
膜種 | 想定膜厚 | 実測値 |
SiO2 | 100nm | 94.500nm |
500nm | 820.000nm | |
1,000nm | 1001.091nm |
SiO2膜の反射スペクトル
酸化インジウムスズITOは、酸化インジウムと酸化スズの無機混合物です。ガラス基板にスパッタ等で成膜することにより、フラットパネルディスプレイやタッチパネルなど透明導電膜として、さまざまな所で利用されています。
測定機種 | :AFW-100W |
測定波長 |
:400nm~700nm |
膜 |
:ITO |
基板 |
:ガラス |
膜種 | 想定膜厚 | 実測値 |
ITO | 80nm | 83.600nm |
ARコート膜は、一般的に数百ナノメートルの膜厚でコーテイングされます。CF法を用いて測定し、また波長毎の反射率(ボトム波長)も調べる事が可能です。
測定機種 | :AFW-100W |
測定波長 |
:400nm~700nm |
膜 |
:AR |
基板 |
:アクリル |
膜種 | 想定膜厚 | 実測値 | 屈折率 |
AR |
120nm |
120.100nm | 1.3 |
ハードコート膜では、一般的に数ミクロン~数十ミクロンの膜厚でコーテイングされます。FFTでの測定で瞬時に測定が可能です。
また、レンズ等の湾曲したワークへの膜厚測定では、顕微鏡を用いる事でより正確な測定が可能になります。微小エリアを計測し散乱光を抑え測定しております。
測定機種 | :AFW-100W |
測定波長 |
:400nm~1000nm |
膜 |
:HC |
基板 |
:アクリル |
膜種 | 想定膜厚 | 実測値 |
HC | 12μm | 11.951μm |
測定機種 | :AFW-100W |
測定波長 |
:400nm~1000nm |
測定対象 |
:PE ポリエチレン フィルム |
膜種 | 想定膜厚 | 実測値 | 屈折率 |
PE |
10μm |
10.820μm | 1.53 |
測定機種 | :AFW-100W |
測定波長 |
:400nm~1000nm |
測定対象 |
:レジスト |
基板 |
:Si |
膜種 | 想定膜厚 | 実測値 | 屈折率 |
レジスト | 120nm | 120.100nm | 1.3 |
ポリイミドは、半導体回路の保護膜として広く利用されております。シリコンウエハ上のポリイミド膜だけでなく、カプトンテープなどのフィルムに対しても測定は可能です。
測定機種 | :AFW-100W |
測定波長 |
:600nm~700nm |
測定対象 |
:PI |
基板 | :Si |
膜種 | 想定膜厚 | 実測値 | 屈折率 |
PI | 45μm | 45.655μm | 1.8 |
半導体用フォトレジストは、シリコンウエハ等の表面に薄膜塗付し、フォトマスクを置いて紫外線照射することにより、感光させます。主にCI回路やプリント基板等に使用されます。
測定機種 | :AFW-100W |
測定波長 |
:400nm~1000nm |
レジスト液 |
:富士薬品工業㈱FPPR-200 |
膜 | :レジスト |
基板 | :Si |
膜種 | 回転数 | 実測値 | 屈折率 |
レジスト | 2,500rpm | 779.800nm | 1.6 |
5,000rpm | 558.600nm |
ポリウレタンフィルムは、ラップをはじめ、さまざまなフィルム用途として利用されております。反射分光式膜厚計は、膜厚だけでなく、フィルム厚自身も測定が可能です。
測定機種 | :AFW-100W |
測定波長 |
:650nm~1000nm |
膜 | :ポリウレタン |
膜種 | 想定膜厚 | 実測値 | 屈折率 |
PU | 50μm | 47.913μm | 1.5 |
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